STD37P3H6AG

STD37P3H6AG是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，隶属于其面向汽车电子应用的Automotive, AEC-Q101认证的STripFET H6产品系列。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术构建，核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其架构优化了单元密度和沟道电阻，使得在紧凑的DPAK封装内能够承载高达49A（Tc）的连续漏极电流，同时维持优异的散热能力，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。其最大导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、25A电流条件下仅为15毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30.6nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度和更简洁的驱动电路设计。其漏源电压（Vdss）为30V，栅源电压（Vgs）可承受±20V，为设计提供了充足的电压裕度和鲁棒性。

在接口与关键参数方面，STD37P3H6AG采用标准的表面贴装型DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）为10V，阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，这些参数定义了其易于驱动的特性。最大功率耗散为60W（Tc），结合其封装的热性能，使其能够处理可观的功率。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品来源与后续服务的重要途径。

得益于其高电流能力、低导通电阻和宽工作温度范围，这款MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的场景。典型应用包括汽车领域的负载开关、电机驱动（如风扇、泵控）、电池管理系统（BMS）中的保护与反向连接电路，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流或OR-ing功能。其AEC-Q101认证背景使其成为汽车电子系统中功率路径管理的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类解决方案中仍具有参考价值。

• 型号:STD37P3H6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 49A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD37P3H6AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD37P3H6AG是ST意法半导体生产的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET H6技术，在DPAK封装内实现了优异的功率处理能力，其连续漏极电流（Id）高达49A（Tc），漏源电压（Vdss）为30V，适用于中低压、大电流的开关应用。

其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(On)）典型值低至15毫欧（@25A, 10V），显著降低了传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了高效的开关性能。器件结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，满足汽车电子等恶劣环境下的高可靠性要求。