STD38NH02LT4

STD38NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流开关而设计。其核心架构优化了单元密度与沟道电阻，在硅片层面实现了导通损耗与开关性能的卓越平衡，是ST在低压高电流应用领域的一款经典功率器件解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、19A漏极电流条件下，Rds(ON)典型值仅为13.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效，尤其在持续大电流工作的场景中优势明显。其栅极电荷（Qg）最大值控制在24nC（@10V），结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。器件具备38A的连续漏极电流承载能力（基于壳温条件），并拥有24V的漏源击穿电压，为12V至24V总线系统提供了充足的电压裕量。

在电气参数方面，STD38NH02LT4的栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，标准逻辑电平驱动即可使其充分导通，兼容性良好。其栅源电压最大耐受值为±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。器件的功率耗散能力高达40W（Tc），结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够在严苛的热环境下稳定运行。用户可通过ST授权代理获取完整的技术资料与供应链支持。

凭借其高电流密度、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有高要求的DC-DC转换器同步整流侧、电机驱动H桥的低边开关、电池保护电路以及各类负载开关。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间占用，是空间受限的中高功率应用的理想选择。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品提供了重要参考，在特定存量项目或替代选型中仍具分析价值。

• 型号:STD38NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD38NH02LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET III技术与DPAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（13.5mΩ @10V, 19A）与高达38A的连续漏极电流处理能力，旨在最大限度地降低传导损耗，提升系统能效。

器件设计适用于5V至10V的标准栅极驱动，开关特性由较低的栅极电荷（24nC）定义，有助于实现高效的功率切换。24V的漏源电压额定值使其成为12V/24V电源总线系统中同步整流、电机驱动和负载管理的可靠选择。其坚固的设计支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。