STD3LN80K5

STD3LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元设计和外延层工艺，在实现高击穿电压的同时，有效降低了单位面积的导通电阻。这种架构使得芯片在高压开关应用中能够兼顾效率与可靠性，其表面贴装型DPAK封装也便于在紧凑的PCB空间内实现高效的散热管理。

作为MDmesh系列的一员，该器件具备800V的高漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力与尖峰。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为导通期间更低的功率损耗和更高的系统能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于降低开关损耗，提升高频开关性能，并简化栅极驱动电路的设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为2A，最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了安全的驱动裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值设计为5V，具备良好的噪声抑制能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。这些特性使其成为一个在性能、尺寸和成本之间取得平衡的解决方案。

凭借其高压能力和良好的开关特性，STD3LN80K5非常适用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源以及家用电器中的电机控制辅助电路。其DPAK封装形式适合自动化表面贴装生产，能够满足消费电子和工业设备对生产效率和空间利用率的双重需求。

• 型号:STD3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id）能力，专为要求高耐压和可靠性的应用场景设计。

其技术优势体现在优化的动态参数上，例如较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这有助于提升开关效率并降低整体功耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和长寿命，适用于工业电源、照明驱动等高压开关领域。