STD3N40K3

STD3N40K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了优异的电荷平衡与电场分布，从而在击穿电压与导通电阻之间取得了出色的平衡。其核心设计旨在满足高效率、高可靠性的开关应用需求，为工程师提供了一个在高压环境下实现快速、低损耗功率控制的稳健解决方案。

该器件具备多项突出的电气特性。其400V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑、功率因数校正（PFC）等常见离线式开关电源中的高压应力。导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.4欧姆（在10V Vgs， 900mA Id条件下），这直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为11nC，结合适中的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量较低，有利于实现更高的开关频率并降低驱动损耗，简化了栅极驱动设计。

在接口与参数方面，STD3N40K3采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达30W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。驱动电压（Vgs）范围宽，最大可承受±30V的栅源电压，增强了抗干扰能力；而阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，提供了良好的噪声容限。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及批量供应支持。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于各类中低功率的AC-DC开关电源，如适配器、充电器、LED驱动电源以及家用电器中的辅助电源。它也常被用于工业控制领域的电机驱动、继电器替代等需要高效功率开关的场合。其稳健的设计和DPAK封装的便利性，使其成为工程师在构建紧凑、高效能电源系统时的可靠选择。

• 型号:STD3N40K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 400V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3N40K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），专为中低功率的高压开关应用而优化。

其技术亮点在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.4欧姆，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值11nC）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了宽泛的工作温度保障。