STL51N3LLH5

作为ST意法半导体STripFET V产品系列中的一员，STL51N3LLH5是一款采用先进沟槽栅工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在30V的电压等级下提供高达51A的连续漏极电流处理能力。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，尤其适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。

该器件的一个关键特性是其卓越的导通电阻性能，在10V栅极驱动电压下，其R_DS(on)典型值极低，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)非常小，最大值仅为5nC @ 4.5V，这意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，对于提升开关电源的转换频率和动态响应至关重要。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±22V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STL51N3LLH5采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装。这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其热阻低，有助于将芯片结温产生的热量高效导出，在配合适当散热设计时，可支持高达62.5W的功率耗散。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品的详细信息与库存状况。

基于其高电流能力、低损耗特性以及紧凑的封装，这款MOSFET非常适合应用于同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制以及各类负载开关等场景。例如，在服务器电源、通信设备电源模块中，它可用于Buck或Boost转换器的低边开关；在电池保护板或电动工具中，它可作为高效的大电流开关元件。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经典的高性能选择，体现了STripFET V技术在平衡性能与成本方面的成熟设计。

• 型号:STL51N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 6.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL51N3LLH5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V系列。该器件设计用于30V电压环境，能够处理高达51A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，这共同实现了优异的传导效率和快速的开关性能。

其采用先进的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，在提供强大电流处理能力的同时，保持了紧凑的尺寸和出色的散热特性，最大功率耗散可达62.5W。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等高效功率管理应用的理想选择。