STD3N95K5AG

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STD3N95K5AG是一款基于先进MDmesh K5技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种设计使得器件在高压应用中能够高效工作，并有效控制功率损耗和温升。

该MOSFET具备一系列突出的功能特性。高达950V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均维持在较低水平，这不仅简化了驱动电路的设计，降低了驱动损耗，还支持更高频率的开关操作，有助于减小系统中磁性元件的体积和成本。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STD3N95K5AG采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热能力。其连续漏极电流在壳温条件下为2A，最大栅源电压为±30V，提供了安全的驱动裕量。该器件属于意法半导体车规级产品系列，通过了AEC-Q101认证，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严苛要求。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商进行采购与咨询。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，STD3N95K5AG非常适用于需要高压开关和功率转换的领域。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动电源、工业电机控制辅助电源以及汽车电子中的高压辅助系统。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，增强系统在浪涌和恶劣温度条件下的鲁棒性。

• 型号:STD3N95K5AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3N95K5AG是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术，并符合AEC-Q101车规标准。其核心优势在于高达950V的漏源电压（Vdss）与优化的动态特性，在提供高耐压能力的同时，实现了较低的导通电阻和栅极电荷。

该器件在10V栅极驱动下具备优异的开关性能，有助于降低开关损耗并提升系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）以及DPAK表面贴装封装，确保了其在汽车电子、工业电源等高要求应用中的长期稳定性和可靠性。