T2535-800G

ST意法半导体推出的T2535-800G是一款采用先进平面钝化工艺制造的双向可控硅（TRIAC）功率半导体器件。该器件采用无缓冲器设计，其核心是一个在单个硅片上集成双向开关功能的半导体结构，能够在交流电的两个半周期内均实现精确的相位控制导通。这种设计使其成为交流负载控制的理想选择，尤其适用于需要高可靠性和强抗干扰能力的工业环境。

该器件具备多项突出的电气特性。其断态重复峰值电压高达800V，为应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充足的裕量，显著提升了系统的鲁棒性。通态有效电流（It(RMS)）达到25A，配合低至1.3V的最大栅极触发电压（Vgt）和35mA的栅极触发电流（Igt），意味着它能够以极低的控制功率驱动大电流负载，简化了驱动电路设计并提高了能效。此外，其非重复浪涌电流（Itsm）在50Hz和60Hz条件下分别高达250A和260A，展现出优异的抗瞬时过载能力，而最大保持电流（Ih）为50mA，确保了在负载电流波动时导通的稳定性。

在接口与物理规格方面，T2535-800G采用行业标准的表面贴装封装TO-263（DPak），这种封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C，使其能够适应从严寒到酷热的苛刻工作环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高电压、大电流和稳健的性能，T2535-800G非常适合应用于工业电机控制（如交流电机调速、软启动）、固态继电器、交流调光系统、加热控制以及大功率照明控制等领域。其高浪涌电流承受能力也使其成为电磁阀、压缩机等感性负载控制的可靠解决方案，在提升系统效率和可靠性的同时，有助于实现紧凑的终端产品设计。

• 型号:T2535-800G
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 25A D2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:800 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:25 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A，260A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:50 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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T2535-800G是ST意法半导体推出的一款高性能25A/800V双向可控硅，采用无缓冲器设计和DPak（TO-263）表面贴装封装。其核心优势在于高电压与大电流处理能力的结合，为交流相位控制应用提供了坚固的基础。

该器件具备高达250A/260A的非重复浪涌电流承受能力，以及低至1.3V的栅极触发电压，确保了在恶劣电气环境下的可靠触发与稳健运行。宽泛的工作结温范围（-40°C ~ 125°C）进一步拓展了其在工业温控、电机驱动及大功率调光等领域的适用性。