STF4LN80K5

STF4LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_g）的出色平衡。其核心在于采用了创新的单元结构和专利的制造工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时通过优化的栅极设计有效控制了开关过程中的电荷注入，从而在高压应用中兼顾了高效率与快速的开关性能。

该MOSFET的显著特性包括高达800V的漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力和浪涌冲击。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为3A，而导通电阻在1A电流、10V栅极驱动电压下典型值仅为2.6Ω，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。其栅极电荷（Q_g）最大值低至3.7nC（@10V），结合仅122pF的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低驱动IC的负担，这对于提升开关电源的工作频率和功率密度至关重要。

在接口与参数方面，器件采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装形式提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力为20W（T_C）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。阈值电压V_GS(th)最大值为5V（@100A），提供了充足的噪声容限。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高压、低损耗和快速开关的特性，STF4LN80K5非常适用于要求高可靠性和高效率的离线式功率转换应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动器的功率级，以及工业电机驱动、电焊机等辅助电源部分。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并有助于实现更紧凑、更节能的电源设计方案。

• 型号:STF4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF4LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流（Id），专为应对严苛的高压环境而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为2.6欧姆（@1A），确保了较低的传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值3.7nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值122pF @100V）显著降低了开关损耗和驱动需求，有利于提升开关电源的工作频率与整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）则保障了其在各种环境下的长期可靠性。