STD3NM60-1

STD3NM60-1是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直导电结构，通过优化的单元设计和外延层工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理开关过程中的电荷，从而降低开关损耗并提升整体能效，这对于要求严苛的功率转换应用至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠运行。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更优的热性能。同时，其栅极总电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的I-PAK封装，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为3A，最大功耗为42W（Tc），工作结温范围覆盖-65°C至150°C，展现了宽泛的环境适应性。栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了足够的驱动安全裕度。对于需要获取该器件技术支持和库存信息的用户，可以联系ST中国代理以获取相关服务。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，STD3NM60-1非常适用于中小功率的开关模式电源（SMPS）、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制系统的功率级。尽管其零件状态已标注为停产，意味着已进入产品生命周期末期，不再推荐用于全新设计，但其成熟的设计和可靠的性能使其在既有设备的维护、备件更换或特定遗留系统中仍具有一定的应用价值。

• 型号:STD3NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD3NM60-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这有助于降低导通与开关损耗，提升电源系统的整体效率。器件采用I-PAK通孔封装，最大功耗42W（Tc），工作温度范围宽，适用于要求可靠性和鲁棒性的工业环境。