STD3PK50Z

作为ST意法半导体SuperMESH产品系列中的一员，STD3PK50Z是一款采用先进功率MOSFET技术的P沟道器件。其核心架构基于ST专有的SuperMESH工艺，该工艺通过优化单元结构和沟道设计，在维持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。这种设计使得器件能够在高压应用中实现更低的传导损耗，提升了整体能效。该芯片采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产装配。

在功能特性上，这款MOSFET的突出优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与平衡的开关性能。其导通电阻在10V驱动电压、1.4A电流条件下典型值仅为4欧姆，确保了在导通状态下较低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在20nC（@10V），输入电容（Ciss）也相对较低，这有助于减少开关过程中的损耗并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

从接口与关键参数来看，器件在25°C壳温条件下的连续漏极电流（Id）为2.8A，最大功耗为70W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于宽温环境。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动，可与常见的控制器直接兼容。这些参数共同定义了一个高耐压、中电流处理能力、且易于驱动的功率开关解决方案。对于需要可靠货源和深度技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。

基于其技术规格，STD3PK50Z非常适合应用于需要高压侧P沟道MOSFET作为开关或负载管理的场合。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧启动电路、功率因数校正（PFC）电路、以及工业控制、照明系统中的高压开关和OR-ing（冗余电源）功能。其高耐压特性为系统提供了充足的电压裕量，增强了可靠性，而其优化的开关特性有助于提升电源转换效率，满足现代电子设备对高效节能的严格要求。

• 型号:STD3PK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD3PK50Z是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和2.8A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH工艺实现了导通电阻与栅极电荷的良好平衡，在10V驱动下导通电阻典型值仅为4欧姆，同时最大栅极电荷控制在20nC。这种特性使其在保证高耐压可靠性的同时，兼具较低的传导损耗和较快的开关速度，有利于提升系统整体能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也确保了其在苛刻环境下的稳定运行。