STW18N60DM2

STW18N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡，这一核心架构使其在高频开关应用中能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕量，确保了在严苛的工业环境下的高可靠性。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的动态性能上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至295毫欧（在6A条件下测量），这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为20nC，结合800pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快、更高效的开关速度，这对于提升开关电源的功率密度和工作频率至关重要。器件采用坚固的TO-247通孔封装，提供了出色的热性能，其结温（Tj）最高可承受150°C，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达90W，确保了在持续高功率运行下的稳定性。

在接口与关键参数方面，STW18N60DM2的连续漏极电流（Id）在特定管壳温度下额定为12A，栅源电压（Vgs）支持高达±25V的范围，为驱动设计提供了灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了一个高效、强健的功率开关界面，工程师可以通过专业的ST芯片代理获取详细的数据手册和设计支持。

得益于其高耐压、高效率和高可靠性的特点，STW18N60DM2非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、工业电源和电信基础设施。此外，在电机驱动、不间断电源（UPS）以及照明镇流器等需要高效能开关解决方案的领域，该器件也能发挥关键作用，帮助系统设计师实现更高的能效标准和更紧凑的产品设计。

• 型号:STW18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），为高压、中功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通损耗与低开关损耗的优化组合。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至295毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为20nC，这使其在高频开关电源中能显著提升效率并降低热耗散。器件结温最高支持150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行，是工业级开关电源、PFC电路和电机驱动等应用的可靠选择。