STD2N80K5

STD2N80K5是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和创新的沟槽工艺，在单位面积内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心设计目标是在高耐压条件下，有效平衡导通损耗与开关损耗，为高压、中功率应用提供了一个高效可靠的半导体开关解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力，例如在反激式拓扑中提供充足的电压裕量。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为4.5欧姆（@1A），这有助于降低器件在导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为3nC（@10V），极低的栅极驱动需求意味着更快的开关速度和更低的驱动电路损耗，有利于提升系统整体频率和功率密度。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的散热能力和机械强度，适合自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为2A，配合45W（Tc）的最大功率耗散能力，定义了其适用的功率等级。低至95pF的输入电容（Ciss）进一步减少了开关过程中的米勒效应，提升了动态性能的稳定性。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术文档、样品及批量采购支持。

基于其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STD2N80K5非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及工业电机控制中的辅助电源等场景。在反激式、正激式等拓扑中，它能有效提升中低功率段电源的转换效率，帮助设计者满足日益严格的能效标准，是实现紧凑、高效电力电子系统的关键元器件之一。

• 型号:STD2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD2N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），专为需要高耐压和可靠性的应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.5欧姆，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大3nC）确保了快速的开关切换，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。这些特性使其成为离线式电源、LED驱动及工业控制系统中提升能效和功率密度的理想选择。