STO47N60M6

STO47N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G）。其核心架构旨在实现高效率与高功率密度的平衡，特别适用于对开关损耗和导通损耗都极为敏感的高频开关应用。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），确保了在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境下的可靠运行。其导通电阻在10V驱动电压、18A电流条件下典型值仅为80毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值控制在52.2nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升系统整体能效。器件采用TOLL（HV）封装，这种表面贴装型封装具有优异的热性能和低寄生电感，便于PCB布局并提升功率循环能力。

在电气参数方面，STO47N60M6在25°C壳温下可连续通过36A的漏极电流，最大功耗达255W。其栅源阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。用户可通过官方ST代理获取完整的数据手册、仿真模型及技术支持。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。

凭借其高性能组合，该器件主要面向需要高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧PFC和LLC谐振拓扑、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车的车载充电机（OBC）。在这些场景中，它能有效提升系统能效等级，减小散热器尺寸，最终实现电源系统的小型化和轻量化。

• 型号:STO47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
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STO47N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（V_DSS）下，实现了低至80毫欧（典型值@10V, 18A）的导通电阻与52.2nC的低栅极电荷的优异组合，这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，显著提升系统效率。

其设计兼顾了高电流处理能力与出色的开关性能，在壳温25°C下连续漏极电流（I_D）可达36A。器件采用热增强型的TOLL表面贴装封装，具有良好的散热特性，最大功耗为255W，工作结温范围宽达-55°C至150°C。这些核心特性使其成为要求高功率密度和高可靠性的中高功率开关电源、电机驱动及新能源逆变器等应用的理想选择。