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T1235T-6I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNSTR 600V 12A TO220AB
原厂封装:封装:TO-220AB 绝缘
优势价格,T1235T-6I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T1235T-6I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T1235T-6I是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)元件,采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件属于无缓冲器(Snubberless)系列,专为在交流电路中实现高效、可靠的相位控制或开关应用而设计。其核心架构基于成熟的平面钝化技术,确保了在-40°C至125°C的宽结温范围内,均能提供稳定的双向导通特性和优异的抗噪能力,尤其适合在复杂的电磁环境中工作。

该器件具备600V的高断态重复峰值电压(VDRM,能够有效抵御电网中的电压波动和瞬态过压,提升了系统的可靠性与安全性。其通态有效电流(IT(RMS))最大值为12A,配合高达90A(50Hz)和95A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,使其能够从容应对电机启动、白炽灯冷态接入等场合产生的瞬时大电流冲击。低栅极触发特性是其另一显著优势,最大栅极触发电压(VGT)仅为1.3V,最大栅极触发电流(IGT)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器(MCU)或逻辑电平信号轻松驱动,简化了外围驱动电路的设计,降低了整体系统成本。

在接口与参数方面,T1235T-6I采用标准的三引脚TO-220封装,便于安装散热器以提升功率耗散能力。其最大维持电流(IH)为30mA,有助于在轻负载条件下保持稳定导通。得益于其无缓冲器设计,在许多应用中无需外接RC缓冲网络即可有效抑制电压变化率(dV/dt)带来的误触发风险,进一步简化了电路板布局。作为一款有源状态的成熟产品,用户可以通过ST授权代理渠道稳定获取,并获得完整的技术支持。

凭借上述特性,该器件广泛应用于各类中功率交流负载控制场景。典型应用包括家用电器(如风扇调速器、厨房电器)、工业控制(如交流电机控制、固态继电器)、照明调光系统以及自动化设备中的交流电源开关。其稳健的设计使其成为工程师在开发需要高性价比、高可靠性的相位控制或开关解决方案时的优先选择之一。

  • 型号:T1235T-6I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNSTR 600V 12A TO220AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):90A,95A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):30 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • 想获取T1235T-6I的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T1235T-6I是ST意法半导体生产的一款12A、600V三端双向可控硅,采用TO-220AB封装。该器件属于无缓冲器系列,具备优异的抗噪能力和高可靠性,其低至1.3V的栅极触发电压使其易于由微控制器直接驱动。

其核心参数包括12A的通态有效电流,以及高达90A/95A的浪涌电流承受能力,确保其能够稳定处理电机启动等浪涌冲击。宽工作结温范围(-40°C ~ 125°C)和600V的断态电压额定值,使其适用于要求严苛的工业与消费类交流控制应用。

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