STW21NM60N

作为ST意法半导体MDmesh系列中的一员，STW21NM60N是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET，其核心架构基于先进的MDmesh（Multiple Drain mesh）技术。这项技术通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在硅片内部构建了一个多漏极网状结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM），从而在高压开关应用中实现了高效率与低损耗的平衡。该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，为散热和功率处理提供了坚实的物理基础。

在功能表现上，这款MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和高达17A（在壳温Tc条件下）的连续漏极电流能力，使其能够从容应对工业级功率转换中的高压大电流应力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A漏极电流条件下典型值仅为220毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在66nC（@10V），结合4V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着它能够被快速驱动和关断，有助于提升开关频率并降低开关损耗，这对于提升电源整体效率至关重要。

从接口与关键参数来看，STW21NM60N设计有±25V的最大栅源电压容限，为栅极驱动提供了安全裕度。其输入电容（Ciss）最大值为1900pF，是需要考虑驱动电路设计的重要参数。器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为140W，结合TO-247封装良好的热性能，能够有效管理开关过程中的热量。尽管该产品目前已处于停产状态，但对于许多现有设计的维护、升级或特定批量的采购，通过可靠的ST一级代理渠道，工程师依然可以获取到原装正品，以保障项目的连续性与可靠性。

在应用场景方面，凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，该器件非常适用于需要高效能功率处理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器模块、不同断电源（UPS）系统以及电焊机等高性能功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STW21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW21NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的电气基础。

其技术亮点在于通过MDmesh技术实现了优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至220毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大66nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为要求高效率与可靠性的工业级电源和电机驱动应用的理想选择。