STP100NF04

STP100NF04是意法半导体（STMicroelectronics）推出的基于STripFET II技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的优化平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体能效。其核心架构专为高电流处理能力和稳健性设计，内部结构经过优化以提供出色的热性能和电气可靠性，尤其适用于对耐用性要求严苛的汽车电子环境。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其漏源击穿电压（V_{DSS）为40V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（ID）高达120A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻（RDS(on)）在10V栅源驱动电压（VGS）和50A漏极电流条件下，典型值仅为4.6毫欧，这一低阻值特性是降低功率损耗、减少发热的核心。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V VGS下最大值为150nC，较低的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求，这对于高频开关电源和电机控制应用至关重要。器件的栅源阈值电压（VGS(th)）最大为4V，提供了良好的噪声免疫性。}

在封装与接口方面，STP100NF04采用工业标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理。其最大功率耗散能力在壳温条件下可达300W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了器件在恶劣温度环境下的稳定运行。输入电容（C_iss）最大为5100pF，设计时需结合栅极驱动能力进行考量。该产品属于意法半导体的汽车级产品系列，通过了AEC-Q101认证，意味着它满足了汽车行业对可靠性和质量的严苛标准，用户可通过全球ST代理网络获取相关技术支持和供货服务。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器、电池管理系统的负载开关，以及工业领域的电源逆变器和同步整流电路。其稳健的设计使其成为在空间受限且散热条件挑战性的环境中，实现高效功率切换和控制的理想选择。

• 型号:STP100NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP100NF04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于通过AEC-Q101认证的汽车级STripFET II产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关性能平衡。

该器件额定漏源电压为40V，在壳温25°C下可连续承载高达120A的电流，而其导通电阻在10V V_GS和50A I_D条件下最大值仅为4.6mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更高的效率。同时，最大150nC的栅极电荷有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些参数共同指向了高效率、高功率处理能力的核心卖点。

此外，其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为300W，确保了在汽车及工业等严苛环境下的可靠性和耐用性，适用于电机驱动、电源转换等高要求应用。