STD45N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII系列的一员，STD45N10F7是一款采用先进的DeepGATE技术构建的N沟道功率MOSFET。该技术通过优化单元结构和沟槽工艺，在相同的芯片面积内实现了更低的导通电阻和更高的电流密度，其核心优势在于显著降低了传导损耗。器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的热性能和机械强度，便于自动化生产并适应高功率密度应用的需求。

这款MOSFET的电气性能表现突出，其漏源电压（Vdss）额定值为100V，在25°C壳温条件下可支持高达45A的连续漏极电流。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、22.5A测试条件下典型值仅为18毫欧，这一低阻抗特性是提升系统效率的关键。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为25nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着开关过程中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了安全的操作裕量。其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，结合60W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够应对严苛的环境条件和瞬态热应力。这些参数共同塑造了器件在高可靠性场景下的适用性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的性能组合，STD45N10F7非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动与控制电路、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源中的功率开关部分。其平衡的导通与开关特性，使其成为在100V电压等级下，寻求提升能效和功率输出能力的工程师的理想选择。

• 型号:STD45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VII系列。该器件采用DPAK封装，额定漏源电压为100V，在壳温25°C时连续漏极电流可达45A，具备高电流处理能力。

其核心电气参数表现出色，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(On)）典型值低至18毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为25nC，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升整体系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的工业环境。