STD47N10F7AG

STD47N10F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）面向汽车电子及高可靠性应用推出的N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET F7产品系列，采用了先进的沟槽栅工艺技术，旨在提供卓越的功率处理能力与开关性能。其核心设计聚焦于在紧凑的封装内实现极低的导通损耗和快速的开关速度，这对于提升系统效率、降低热管理复杂度至关重要。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，在22.5A电流条件下最大值仅为18毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，使其在持续大电流工作状态下能保持较低的温升。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在25nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现高效的开关性能，减少开关过程中的能量损失，并降低对栅极驱动电路的要求，简化设计。

在电气参数方面，STD47N10F7AG具备100V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达45A（T_C=25°C）的连续漏极电流能力，为其在严苛环境下稳定工作提供了宽裕的安全裕量。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±10V，阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的导通控制。器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，在提供高达60W（T_C）功率耗散能力的同时，保持了优异的板级空间利用率。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车级应用对极端温度环境的适应性要求。对于需要稳定供货和技术支持的中国市场客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其稳健的电气规格和汽车级可靠性，该MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性有严苛要求的领域。在汽车电子中，它是发动机控制单元（ECU）、燃油喷射系统、电动助力转向（EPS）以及LED照明驱动等模块中功率开关部分的理想选择。此外，在工业电源、电机驱动、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中，其优异的性能也能显著提升系统的整体能效和功率密度。

• 型号:STD47N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD47N10F7AG是ST意法半导体推出的AEC-Q101认证汽车级N沟道功率MOSFET，采用STripFET F7技术。其核心优势在于极低的导通电阻（最大值18mΩ @ 22.5A, 10V）与优化的栅极电荷（最大值25nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗和高开关效率。

该器件额定参数为100V漏源电压与45A连续漏极电流（T_C=25°C），采用DPAK封装，最大功率耗散60W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其成为要求高可靠性和高效能的汽车与工业功率控制应用的坚实选择。