STD4N52K3

STD4N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和第三代SuperMESH工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻的出色平衡。其核心设计旨在有效控制电场分布，从而在525V的高漏源电压（Vdss）额定值下，依然能保持稳健的电气特性，为高压开关应用提供了可靠的半导体基础。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与快速开关而构建。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、1.25A电流条件下典型值仅为2.6欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至2nC（@10V），结合334pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，能够实现更快的开关速度，减少开关过渡期间的损耗。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。

在接口与关键参数方面，STD4N52K3采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为2.5A，最大功率耗散能力为45W（Tc），结温（Tj）最高可支持至150°C，展现了其在严苛热环境下的工作潜力。这些参数共同定义了一个适用于中功率、高压场景的开关解决方案。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

基于其525V的耐压等级、良好的开关特性以及DPAK封装的便利性，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及各类工业级AC-DC转换器中，作为核心的功率开关元件。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计的维护、备件供应或特定成本优化方案中，它仍然是一个具有参考价值的技术选择。

• 型号:STD4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4N52K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

该器件的优势在于其优化的动态性能。其导通电阻（Rds(On)）典型值低至2.6欧姆（@10V， 1.25A），配合极低的栅极电荷（Qg， 最大2nC @10V），实现了低导通损耗与高开关频率的潜力，有助于提升电源系统的功率密度和整体效率。其设计支持高达150°C的结温工作，确保了在高温环境下的可靠性。