STD12N50M2

作为ST意法半导体MDmesh M2产品系列中的一员，STD12N50M2是一款采用先进平面工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的MDmesh M2技术，该技术通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在单位面积内实现了更低的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。该器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的开关性能与导通特性上。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够从容应对离线式开关电源中的高压应力。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为380毫欧（在5A条件下），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为15nC（在10V条件下），结合550pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更小，这不仅有助于降低开关损耗，还能简化栅极驱动设计，允许使用更小、更经济的驱动IC，从而优化系统成本。

在接口与关键参数方面，该器件设计为10A的连续漏极电流（在壳温Tc条件下）能力，并支持高达±30V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了其在高频开关应用中的边界条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及批量采购服务。

基于其高压、低损耗和高开关频率的特性，STD12N50M2非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升电源转换效率，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的系统设计。

• 型号:STD12N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD12N50M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD12N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Tc），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优化的动态特性上：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至380毫欧（@5A），栅极总电荷（Qg）最大值仅为15nC（@10V）。这种低Rds(on)与低Qg的出色结合，使其能够显著降低导通与开关损耗，从而提升系统效率并支持更高的工作频率，是设计高效、紧凑型开关电源的理想选择。