STD4NK50ZT4

STD4NK50ZT4是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元密度和独特的掺杂工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心设计旨在平衡高耐压、低导通损耗与开关性能，内部结构集成了低栅极电荷特性，为开关电源应用中的高频操作提供了良好的基础。这种架构确保了器件在高压环境下具备稳定的雪崩耐量和可靠的动态特性。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压(Vdss)，能够从容应对工业级AC-DC转换器中的高压母线应力。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻(Rds(on))典型值较低，当漏极电流为1.5A时，最大值仅为2.7欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷(Qg)最大值控制在12nC（@10V），结合310pF的输入电容(Ciss)，意味着它需要更少的驱动能量即可快速完成开关状态切换，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。此外，其栅源电压(Vgs)可承受±30V的范围，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

在电气参数上，STD4NK50ZT4在壳温(Tc)条件下支持高达3A的连续漏极电流，最大功耗为45W。其开启阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器良好的兼容性。器件采用表面贴装型DPAK（TO-252）封装，这种封装形式在功率密度和散热能力之间取得了良好平衡，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压能力和优化的开关特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧，例如反激式、正激式变换器中的主开关管。它也常见于功率因数校正(PFC)电路、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业控制系统的低功率电机驱动模块中。在这些场景中，其高可靠性、良好的热性能和DPAK封装的易用性，使其成为工程师在构建高效、紧凑型高压功率转换解决方案时的可靠选择。

• 型号:STD4NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，核心特性包括500V的高漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)能力，为高压、中小电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为2.7欧姆（@1.5A），有助于降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷(Qg，最大值12nC)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备±30V的栅源电压耐受能力，提升了系统的鲁棒性和可靠性。