STD7NM64N

STD7NM64N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电容参数，从而在开关性能与传导效率上取得了显著提升，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达640V，确保了在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压应用中的可靠性与安全裕度。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为1.05欧姆（测试条件：2.5A），这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在14nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有助于提升开关频率并简化驱动电路设计。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。

在封装与可靠性方面，STD7NM64N采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其结温（Tj）最高可工作在150°C，在管壳温度（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达5A，最大功率耗散为60W，展现了良好的热性能和功率处理能力。这些稳健的参数使其能够在严苛的环境下稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借640V的耐压、优异的开关特性以及坚固的封装，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的中功率场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS系统中的功率转换部分。其性能表现使其成为工程师在设计新一代节能型电力电子设备时的优选功率开关解决方案。

• 型号:STD7NM64N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:640 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7NM64N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了640V的高漏源电压（Vdss）额定值和5A的连续漏极电流（Id）能力，专为高效功率开关应用而设计。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.05欧姆，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用DPAK表面贴装封装，最高结温达150°C，提供了可靠的功率处理和热管理能力。