STD4NK60Z-1

STD4NK60Z-1是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和先进的工艺技术，在硅片层面实现了低比导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心架构旨在降低导通损耗和开关损耗，同时确保在高压工作条件下的长期可靠性，为开关电源等应用提供了一个高效、坚固的功率开关解决方案。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC变换器中的高压母线环境。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合仅2Ω（典型值，条件为Vgs=10V， Id=2A）的低导通电阻（Rds(on)），有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极驱动设计友好，阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且最大栅极电荷（Qg）控制在26nC，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在电气参数方面，STD4NK60Z-1的输入电容（Ciss）最大值为510pF，与较低的Qg值共同确保了快速的开关响应。器件允许的栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其封装采用标准的通孔式I-PAK（也称为TO-251），这种封装具有良好的机械强度和散热特性，在Tc壳温条件下的最大功耗为70W。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、样品及供应链支持。

凭借其高压、低损耗的特性，这款器件非常适用于需要高效功率转换的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动辅助电源等。尽管其零件状态标注为不适用于新设计，但在许多现有的工业设备和家用电器电源设计中，它仍然是一个经过市场验证的、高性价比的功率器件选择，为工程师提供了稳定可靠的性能保障。

• 型号:STD4NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD4NK60Z-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，为电源系统提供了坚固的电压屏障和足够的电流处理容量。

其技术优势体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至2Ω，这直接有助于降低导通损耗，提升能效。同时，最大26nC的低栅极电荷（Qg）优化了开关动态性能，减少了开关损耗，使得它在高频开关电源设计中表现出色。器件采用I-PAK通孔封装，支持高达70W的功率耗散，并具备-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在各类环境下的可靠运行。