STL13NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II产品家族的一员，STL13NM60N是一款采用先进垂直结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的超结（Super-Junction）技术，通过精心设计的电荷平衡机制，在相同的芯片面积下，显著降低了特定导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM），从而实现了开关损耗与导通损耗之间的出色平衡。这种架构是其在高压应用中保持高效率运行的基础。

该器件展现了多项卓越的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，适用于全球通用的交流输入电压整流后的高压总线环境。在导通特性方面，在10V驱动电压、5A电流条件下，其导通电阻最大值仅为385毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于简化栅极驱动设计并提升系统开关频率潜力，最终优化整体电源方案的功率密度和效率。

在接口与关键参数上，STL13NM60N设计为表面贴装型，采用紧凑的PowerFlat HV（8x8）封装。该封装不仅节省了PCB空间，其优化的引脚布局和裸露焊盘（Exposed Pad）也极大地提升了散热性能，确保芯片结温（Tj）最高可达150°C时，仍能通过封装将热量高效传递至PCB。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达10A，而栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，提供了较强的抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

基于其高压、低损耗和高可靠性的特点，STL13NM60N非常适合于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）应用，例如服务器电源、通信电源、工业电源的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器中的主开关或同步整流（需配合相应控制）。此外，它也适用于电机驱动、照明镇流器以及不同断电源（UPS）等系统中的高压开关环节，是工程师在构建高效、紧凑型高压功率转换解决方案时的可靠选择。

• 型号:STL13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:385 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL13NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于优异的开关性能与导通特性的平衡。

其关键参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实基础。更突出的特性是低至385毫欧（@5A,10V）的导通电阻（Rds(on)）与仅30nC（@10V）的栅极电荷（Qg），这一组合显著降低了功率损耗，有助于提升系统效率与功率密度。器件采用散热优化的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，确保了在紧凑空间内的可靠运行。