STV160NF02LAT4

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STV160NF02LAT4是一款采用先进功率MOSFET技术的N沟道器件。其核心架构基于优化的垂直沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，专为高功率密度和高效散热而设计，其紧凑的物理尺寸使其非常适合空间受限的现代电子系统。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达160A，而导通电阻在10V栅极驱动电压和80A电流下，最大值仅为2.7毫欧。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在175nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，尤其在高频应用场景中表现优异。

在电气参数方面，STV160NF02LAT4的漏源电压额定值为20V，适用于低压大电流环境。其栅源电压最大可承受±15V，提供了稳定的驱动安全裕度。器件的开启阈值电压(Vgs(th))典型值较低，确保了在标准逻辑电平驱动下的高效导通。其最大结温高达175°C，结合210W的功率耗散能力，赋予了其强大的热可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术资料与库存信息。

凭借其高电流、低电阻和快速开关的特性，此器件主要面向对效率和功率密度有严苛要求的应用领域。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及电机驱动控制等电路的理想选择。在服务器电源、通信基础设施、工业自动化设备以及电动工具等高功率开关场景中，能够有效管理能量流，提升系统性能和可靠性。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值。

• 型号:STV160NF02LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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STV160NF02LAT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用10-PowerSO表面贴装封装，核心优势在于其高达160A的连续漏极电流处理能力和极低的导通电阻（典型值2.7毫欧 @ 10V, 80A），旨在最大限度地降低导通损耗，提升能效。

其电气参数针对低压大电流开关应用进行了优化，包括20V的漏源电压额定值、175nC的最大栅极电荷以及高达175°C的结温工作能力。这些特性使其能够胜任高频开关任务，同时保持良好的热性能。该MOSFET主要适用于高效率DC-DC转换、同步整流和电机驱动等对功率密度与可靠性要求极高的场景。