STFI10NK60Z

STFI10NK60Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直沟道架构，通过优化单元密度和沟槽栅极设计，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了600V高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）之间的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的功能特性围绕其低损耗与高可靠性展开。得益于SuperMESH技术，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。器件具备10A的连续漏极电流处理能力（基于壳温条件），并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功率耗散为35W，展现了良好的热性能。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在接口与关键参数方面，STFI10NK60Z采用通孔安装的I2PAKFP（TO-281）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热特性，便于在功率板上进行可靠的焊接与热管理。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或驱动IC的良好兼容性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询，以获取正品保障和本地化服务。

该器件主要面向需要高效能、高电压开关的功率电子应用场景。其典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和电子镇流器等。其高耐压和较低的开关损耗特性，使其成为构建紧凑、高效离线式电源和中等功率电机控制方案的优选功率开关元件之一。

• 型号:STFI10NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI10NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装。该器件设计用于高电压、高效率的开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）。

其技术优势体现在较低的导通损耗上，在10V栅极驱动下具有优化的导通电阻（Rds(on)）。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境，是构建离线电源、电机驱动等功率转换系统的关键组件。