STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元几何结构和外延层工艺，在维持800V高漏源击穿电压（Vdss）的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻在10V驱动电压、1.5A漏极电流条件下典型值仅为3.5欧姆，较低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22.5nC（@10V），结合575pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统可靠性。其额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为3A，最大功耗达80W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

在接口与物理特性方面，STD4NK80ZT4采用标准的表面贴装DPAK（TO-252）封装。这种封装形式在功率密度、散热能力与PCB占板面积之间取得了良好折衷，便于自动化生产并实现紧凑的电路布局。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，可与多数控制器直接兼容。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借800V的高压耐受能力和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等场景。在这些应用中，它能够有效处理高压母线电压，同时通过其低导通与开关损耗帮助系统满足日益严格的能效标准，是实现高效、高可靠性功率转换设计的优选器件之一。

• 型号:STD4NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD4NK80ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）与3A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.5Ω @ 1.5A，有助于降低导通损耗。同时，最大22.5nC的栅极电荷（Qg）与575pF的输入电容（Ciss）确保了高效的开关速度与较低的驱动需求。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗80W，提供了强大的鲁棒性和可靠性。