STD50NH02LT4

STD50NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）之间的平衡，通过精密的沟槽栅极工艺，显著降低了传导损耗和开关损耗，为24V及以下电压等级的应用提供了一个高性能的开关解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与快速开关能力。在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻典型值低至10.5毫欧（@25A），这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为24nC，结合1400pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量小，能够实现更快的开关速度，减少开关过渡期间的损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.8V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，STD50NH02LT4具备24V的漏源击穿电压（Vdss）和高达50A的连续漏极电流（Id）承载能力，最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，并能在壳温（Tc）条件下耗散最高60W的功率，展现了强大的热性能和环境适应性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

凭借这些综合特性，该器件非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中。尤其是在同步整流、负载开关和低压大电流的功率分配场景下，其低Rds(On)和高电流处理能力能够有效提升整体系统的功率密度与可靠性，是工程师在优化24V系统性能时的经典选择之一。

• 型号:STD50NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD50NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻与优异的开关特性。

该器件在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为10.5毫欧（@25A），配合24nC的低栅极电荷（Qg），确保了高效率的功率转换与快速的开关响应。其额定漏源电压（Vdss）为24V，在壳温条件下可支持高达50A的连续漏极电流，最大功率耗散为60W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，具备强大的电流处理能力和宽温工作可靠性。