BUR51

作为一款经典的功率双极性晶体管，BUR51采用NPN型核心架构，其设计旨在处理高电压与大电流场景。该器件基于成熟的硅基工艺，内部结构经过优化，以实现200V的集电极-发射极击穿电压和高达60A的连续集电极电流能力，这使其在功率开关和线性放大应用中能够承受严苛的电气应力。其金属TO-3封装不仅提供了卓越的机械强度和散热性能，也为底座安装方式带来了便利，确保在高达200°C的结温下仍能稳定工作。

在功能表现上，该晶体管在饱和导通时展现出较低的损耗特性，其集电极-发射极饱和压降在5A基极电流和50A集电极电流的条件下，典型值不超过1.5V，这有助于提升系统的整体能效。同时，其直流电流增益在5A集电极电流和4V集电极-发射极电压下，最小值为20，保证了有效的电流驱动与控制能力。尽管其跃迁频率为16MHz，但对于多数中低频功率应用而言已足够，使其在开关电源、电机驱动等领域的线性控制与开关动作中响应迅速、可靠。

从接口与参数来看，BUR51的关键电气规格定义了其应用边界。其最大集电极截止电流为1mA，体现了良好的关断特性。最值得关注的是其高达350W的功率耗散能力，这要求在实际应用中必须配合有效的散热方案，例如使用散热片或强制风冷，以充分发挥其性能潜力并确保长期可靠性。用户可通过ST中国代理获取详细的技术资料与历史库存信息，以支持旧有系统的维护与备件采购。

在应用场景方面，这款晶体管因其高耐压、大电流和强功率处理能力，传统上被广泛应用于工业控制、电源转换以及音频功率放大等设备中。例如，在离线式开关电源的初级侧开关、直流电机驱动器的H桥电路，或大功率线性稳压器中，它都能作为核心开关或调整元件。虽然该产品目前已处于停产状态，但其稳健的设计和经过市场验证的性能，使其在现有设备的维护、升级或特定冗余设计中依然具有参考价值，尤其适合对成本敏感且对长期供货稳定性有要求的工业领域。

• 型号:BUR51
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 200V 60A TO-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:200 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 5A，50A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:20 @ 5A，4V
• 功率 - 最大值:350 W
• 频率 - 跃迁:16MHz
• 工作温度:200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:TO-204AA，TO-3
• 供应商器件封装:TO-3
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BUR51是ST意法半导体推出的一款大功率NPN双极性晶体管，采用经典的TO-3金属封装。其核心电气规格突出，具备200V的集射极击穿电压和60A的最大集电极电流能力，能够胜任高电压、大电流的开关与放大任务。

该器件在饱和导通时压降低至1.5V（@5A, 50A），有助于减少导通损耗，同时其最大功率耗散能力达到350W，展现了出色的功率处理与散热潜力。尽管产品已停产，但其高可靠性设计使其在工业电源、电机驱动及音频放大等传统功率电子领域的历史设计中曾扮演关键角色。