STFV4N150

STFV4N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心设计旨在为高电压、中功率应用提供稳健可靠的开关解决方案。其架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）之间的平衡，通过特殊的栅极和源极设计，有效降低了寄生电容，从而提升了开关性能与效率。

该MOSFET的突出特性在于其高达1500V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、UPS系统等场合中的高压应力和电压尖峰。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，结合最大仅7欧姆的导通电阻（在2A，10V条件下），确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC（@10V），有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与参数方面，STFV4N150的栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在25V偏压下最大为1300pF，这一参数与较低的Qg值共同决定了其快速的开关响应能力。器件的最大功率耗散为40W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了其良好的热性能和鲁棒性。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过正规的ST授权代理渠道进行咨询与采购。

鉴于其高压、中电流的规格特性，STFV4N150非常适合应用于对电压等级有严苛要求的离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电焊机电源、工业电机驱动辅助电源以及不同断电源（UPS）的功率转换级。其TO-220封装形式便于安装在散热器上，有利于系统整体的热管理设计，是构建高效、紧凑型高压功率系统的关键元件之一。

• 型号:STFV4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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STFV4N150是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括1500V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），专为应对严苛的高压环境而设计。

其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为7欧姆（@2A），配合最大50nC的栅极电荷（Qg），有效降低了导通与开关过程中的功率损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及UPS系统中高压开关和功率转换应用的理想选择。