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THBT15011DRL

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 晶闸管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:THYRISTOR 150V 30A 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,THBT15011DRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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THBT15011DRL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

THBT15011DRL是ST意法半导体推出的TRISIL系列晶闸管浪涌保护器件,采用紧凑的8引脚SOIC表面贴装封装。该器件内部集成了三个独立的PNPN半导体结构,构成一个三端双向晶闸管型浪涌抑制器。其核心工作原理基于电压触发导通机制,当施加在其两端的电压超过预设的断态电压(VDRM)并达到导通电压(VBO)时,器件会迅速从高阻态切换到低阻态,将过电压钳位在一个安全的低水平,并通过泄放大电流来保护后端电路。这种固态保护方案响应速度极快,通常在纳秒级,能有效应对雷击感应、感性负载切换等产生的瞬态电压尖峰。

该器件具备150V的断态重复峰值电压210V的导通电压,适用于在正常工作时电压水平较高的线路中进行保护。其能够承受10/1000s波形下高达30A的峰值脉冲电流,展现了强大的浪涌能量吸收能力。一旦导通,仅需150mA的保持电流即可维持低阻状态,直至线路电流中断或低于此值后自动复位,实现了自恢复保护功能。此外,其80pF的典型电容值对高速数据线路的信号完整性影响很小,适合用于通信接口的保护。用户可通过正规的ST代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

THBT15011DRL提供了标准的表面贴装接口,便于集成到自动化生产流程中。其关键参数经过优化,在断态电压、浪涌承受能力和电容特性之间取得了良好平衡。需要注意的是,该器件设计用于处理瞬态过压事件,而非持续的过载或短路情况。在实际布局时,应确保其引脚与受保护线路并联,并尽量缩短引线长度以降低寄生电感,从而保证最佳的钳位性能。

基于其性能特点,该芯片典型应用于需要可靠端口保护的领域。例如,在电信设备、网络交换机的xDSL线路接口或T1/E1中继器中,用于防护由雷击或电源感应引入的浪涌。它也常见于工业自动化控制系统中的传感器接口、RS-485/422通信总线,以及AC/DC电源的初级侧辅助保护,为敏感的数字或模拟前端电路构筑一道有效的固态防线。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备和备件供应链中仍具应用价值。

  • 型号:THBT15011DRL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > 晶闸管
  • 描述:THYRISTOR 150V 30A 8-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 导通:210V
  • 电压 - 断态:150V
  • 电压 - 通态:-
  • 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
  • 电流 - 保持 (Ih):150 mA
  • 元件数:3
  • 电容:80pF
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取THBT15011DRL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

THBT15011DRL是ST意法半导体THBT系列中的一款表面贴装型三端双向晶闸管浪涌保护器件。该器件设计用于为电子线路提供快速、可靠的过电压保护,其核心特性包括150V的断态工作电压和210V的导通触发电压,能够有效钳制高压瞬变。

它具备强大的浪涌处理能力,可承受10/1000s波形下30A的峰值脉冲电流,并在导通后仅需150mA的保持电流。其80pF的低电容值确保了对高速信号线路的最小干扰,使其非常适用于通信接口和工业总线端口的保护应用。

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