VNB10N0713TR

VNB10N0713TR是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的VIPower技术平台开发的一款智能单通道低侧功率开关。该器件采用单片集成设计，将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合于单一芯片，属于OMNIFET系列产品。其核心是一个N沟道垂直功率MOSFET，采用D2PAK封装，具备优异的功率处理能力和散热性能，专为需要直接由逻辑信号控制大功率负载的应用而优化。

该器件的一个显著特点是其无需独立的外部供电电压（Vcc/Vdd），其内部逻辑电路直接由输入控制引脚供电，这极大地简化了系统设计，减少了外围元件数量。其输入采用非反相逻辑，提供开/关接口，可直接与微控制器或逻辑电路的GPIO引脚兼容。在导通状态下，其导通电阻（RDS(on)）典型值极低，最大值为100毫欧，这确保了在高达7A持续输出电流的条件下，能够实现极低的传导损耗和压降，提升整体能效。

在接口与参数方面，VNB10N0713TR设计用于驱动最高55V的负载，适用于常见的12V、24V乃至更高的汽车或工业总线电压。其内置的多重故障保护机制是其关键优势，包括固定阈值限流保护，可防止输出短路或过载；过温关断保护，在芯片结温超过安全阈值时自动禁用输出以保护器件；以及过压保护，增强了在恶劣电气环境下的鲁棒性。这些保护功能都是自动的，无需外部干预，提高了系统的可靠性。

其典型的应用场景广泛覆盖汽车电子和工业控制领域。在汽车系统中，它常用于驱动继电器、电磁阀、灯泡、电机等负载，作为车身控制模块（BCM）或配电单元的核心执行部件。在工业自动化中，它可用于可编程逻辑控制器（PLC）的数字输出模块、工厂自动化设备中的执行器驱动等。对于需要可靠、高效功率开关解决方案的设计工程师而言，通过正规的ST代理商获取此器件及相关技术支持至关重要。尽管该产品状态已标注为停产，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在现有系统维护或特定设计中仍具参考价值。

• 型号:VNB10N0713TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:55V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:14A
• 导通电阻（典型值）:100 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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VNB10N0713TR是ST意法半导体推出的一款集成式智能功率开关，属于OMNIFET和VIPower系列。该器件采用D2PAK封装，集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路，构成一个完整的低侧开关解决方案。

其核心参数表现突出，支持最高55V的负载电压和7A的持续输出电流，同时最大导通电阻仅为100毫欧，确保了高效的电能传输。器件设计简洁，无需外部Vcc供电，通过一个非反相的开/关输入信号即可控制。此外，它集成了限流、过温和过压保护功能，为驱动感性或阻性负载提供了高可靠性的保障。