STD55NH2LLT4

STD55NH2LLT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的沟槽工艺，在硅片层面实现了卓越的电气性能，为24V电压等级的应用提供了一个高性价比的功率开关解决方案。

该MOSFET在技术参数上表现出显著优势。其极低的导通电阻是关键特性之一，在10V栅极驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，典型值仅为11毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在11nC（@4.5V），结合适中的输入电容（C_iss），意味着器件具备快速的开关特性，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其宽泛的栅源电压（V_GS）范围（±16V）提供了良好的抗干扰能力，而高达175°C的结温（T_J）则确保了其在恶劣热环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，STD55NH2LLT4定义了明确的电气边界。其最大漏源电压（V_DSS）为24V，在壳温（T_C）条件下连续漏极电流（I_D）额定值高达40A，最大功率耗散为60W。其阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，有利于在低电压逻辑电路中直接驱动。用户可通过ST授权代理获取完整的数据手册，以获取包括安全工作区（SOA）和热阻在内的详细特性曲线，这对于进行精确的电路设计和热管理至关重要。

凭借上述特性，该器件非常适合应用于对功率密度和效率有较高要求的场景。典型应用包括低压DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制（如无人机、小型机器人）、电池保护电路以及各类负载开关。其DPAK封装形式兼顾了散热性能与PCB占板面积，使其成为空间受限的消费电子、便携式设备及工业模块中功率路径管理的理想选择。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续型号的开发提供了重要参考。

• 型号:STD55NH2LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD55NH2LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和DPAK表面贴装封装。其核心电气参数针对24V电压系统的效率优化，在10V V_GS下提供低至11毫欧的导通电阻（R_DS(on)），并支持高达40A的连续漏极电流，能显著降低导通损耗。

器件具备快速的开关性能，最大栅极电荷（Q_g）仅为11nC，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动及负载管理等中低压、高电流开关应用的紧凑型高效解决方案。