STF28N65M2

STF28N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为应对工业及消费类电源中常见的电压应力提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达20A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为180毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热，有助于设计更紧凑、散热要求更低的系统。此外，其栅极电荷（Qg）典型值低至35nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于在高频开关电源拓扑中实现高效运行。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装形式，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的Vgs，增强了应用的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件最高结温（Tj）可达150°C，最大功率耗散为30W（Tc），确保了在苛刻环境下的可靠工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购和咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STF28N65M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动和变频器中的功率开关、UPS（不间断电源）系统以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少热量产生，并有助于实现更小的系统尺寸和更长的使用寿命。

• 型号:STF28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至180毫欧（@10A），能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型值35nC @10V）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，从而提升整体电源转换效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等高效能设计的理想选择。