STP80NF10FP

STP80NF10FP是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造流程，在单位面积内实现了更低的导通电阻与更高的电流密度。其核心架构旨在有效平衡开关速度、导通损耗和栅极驱动需求，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为100V，在25°C壳温条件下可支持高达38A的连续漏极电流，展现出强大的功率处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为15毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值控制在4V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。

在动态性能方面，STP80NF10FP在10V Vgs下的总栅极电荷（Qg）最大值为189nC，结合其4300pF的输入电容（Ciss），共同决定了开关过程中的驱动损耗与开关速度。合理的电荷参数设计使其能够适配多种栅极驱动电路，在开关频率与驱动损耗之间取得良好平衡。器件采用TO-220FP封装，这种绝缘型封装无需额外的绝缘垫片，简化了安装与散热设计，其最大功耗为45W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借100V的耐压、38A的电流能力以及极低的导通电阻，STP80NF10FP非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用作DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源中的主开关或同步整流元件。其稳健的性能和TO-220FP封装的便利性，使其成为工程师在开发中等功率等级开关电源、电机控制和功率分配系统时的可靠选择。

• 型号:STP80NF10FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP80NF10FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心电气参数针对高效率功率开关应用进行了优化。

其关键特性包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达38A的连续漏极电流能力。最突出的优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动和40A电流条件下，Rds(on)最大值仅为15毫欧，这能显著降低功率传导损耗。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过平衡设计，有助于实现良好的开关性能与驱动效率的兼顾。