STP1N105K3

STP1N105K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和第三代超级结（Super Junction）技术，在硅片层面实现了极低的导通电阻与极高的击穿电压之间的出色平衡。其核心设计目标是在高达1050V的漏源电压（Vdss）下，提供高效可靠的开关性能，同时将栅极电荷和输入电容控制在较低水平，这直接关系到开关损耗和驱动效率。

该MOSFET的显著特性在于其高达1050V的额定电压与优化的动态性能参数。在10V的标准驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为13nC，结合180pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，这有利于简化驱动电路设计并提升高频开关应用的效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了较强的抗门极噪声干扰能力，增强了系统鲁棒性。

在电气参数方面，STP1N105K3在壳温（Tc）条件下可支持1.4A的连续漏极电流，最大功耗为60W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或光耦等隔离驱动方式的良好兼容性。器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以管理热耗散。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但在特定库存或既有设计中，通过正规的ST代理商渠道仍可能获取，用于维护或升级。

凭借其高耐压和良好的开关特性，这款器件主要面向需要高压开关和功率转换的中低功率应用场景。典型的应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业控制中的辅助电源。在这些领域中，它能够有效处理高压总线，实现高效的能源转换。

• 型号:STP1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP1N105K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心规格为1050V漏源电压（Vdss）与1.4A连续漏极电流（Tc），采用TO-220通孔封装，设计用于中低功率的高压开关场景。

其技术亮点在于通过SuperMESH3技术实现了高压与低导通特性的平衡，最大导通电阻为11欧姆（@10V，600mA）。同时，其动态参数经过优化，最大栅极电荷（Qg）低至13nC，输入电容（Ciss）最大为180pF，这有助于降低开关损耗并简化驱动设计。器件支持±30V的栅源电压，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。