STD5N60M2

STD5N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过改进的单元布局和栅极处理工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式、正激式等离线开关电源中常见的电压应力。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻仅为1.4欧姆（测试条件为1.7A），这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。较低的栅极电荷（Qg，最大值8.5nC @ 10V）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路所需的能量更少，有助于实现更高的开关频率并简化栅极驱动设计，从而在空间受限的应用中实现更高的功率密度。

在接口与参数层面，该器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大可承受45W的功率。其连续漏极电流（Id）在Tc条件下额定为3.5A，结合高达150°C的结温（TJ）额定值，确保了其在严苛环境下的可靠运行。栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了足够的驱动裕量。用户可通过官方ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及设计支持，以优化电路性能。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STD5N60M2非常适用于需要高效、紧凑设计的AC-DC开关电源（SMPS），例如适配器、充电器、LED驱动电源以及家用电器中的辅助电源。它也适用于功率因数校正（PFC）电路、电机控制中的预驱动级以及其他中低功率的硬开关和软开关拓扑，为工程师提供了一个在性能与成本之间取得优异平衡的可靠选择。

• 型号:STD5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:211 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和3.5A连续漏极电流（Id），专为高效功率转换而设计。

其技术优势体现在优化的动态与静态特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率并允许更高频率的操作。高达150°C的结温额定值和45W的功率耗散能力，为其在紧凑空间内的稳定、可靠运行提供了保障。