STD5N95K3

STD5N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在硅片层面实现了卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一核心架构使其在高压开关应用中能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。其设计充分考虑了高温下的稳定性，确保了在宽温度范围内的可靠性能。

该MOSFET具备950V的高漏源击穿电压（Vdss），这为它在离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压场合提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A，而导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2A电流条件下典型值仅为3.5欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的通态功耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在19nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它易于驱动且能有效抑制栅极振荡，简化了驱动电路设计。其输入电容（Ciss）也处于较低水平，有助于实现快速的开关速度。

在电气参数方面，该器件展现了全面的高性能指标。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。最大功率耗散能力为90W（Tc），结合其表面贴装型DPAK封装，在提供较高功率处理能力的同时，也满足了现代电子设备对高功率密度和自动化生产的需求。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于工业、消费电子及汽车等严苛环境。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购，以确保获得原装正品和技术支持。

基于上述特性，STD5N95K3非常适用于需要高耐压和高效能的开关电源拓扑，如反激式、正激式转换器，尤其适合作为初级侧的主开关管。此外，它在电子镇流器、工业电机驱动辅助电源、UPS（不间断电源）以及液晶电视和显示器的高压电源部分也能发挥关键作用。其稳健的性能和DPAK封装的便利性，使其成为工程师在开发高可靠性、高效率功率转换解决方案时的优选器件之一。

• 型号:STD5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至3.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升系统整体效率。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）为4A，最大功率耗散达90W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和较高的功率处理能力。