STD5NK40Z-1

STD5NK40Z-1是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直沟道架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心设计旨在降低栅极电荷和内部电容，从而显著提升开关速度并减少开关损耗，这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET具备400V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量，确保在离线式电源等存在电压尖峰的应用中可靠工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A，而导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下典型值仅为1.8欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，配合±30V的最大栅源电压，提供了宽裕且安全的驱动窗口。此外，低至17nC的栅极总电荷（Qg）和305pF的输入电容（Ciss）使得驱动电路的设计更为简便，并能实现快速的导通与关断切换。

器件采用标准的I-PAK（TO-251）通孔封装，便于在PCB上进行安装和散热管理。其最大功耗在壳温条件下为45W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。这些参数共同构成了一个高效、可靠的功率开关解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

基于其性能组合，STD5NK40Z-1非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动控制中的辅助电源部分。其高耐压和良好的开关特性使其成为离线式AC-DC转换器中构建反激、正激等拓扑的理想选择，有助于系统实现更高的功率密度和整体能效。

• 型号:STD5NK40Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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STD5NK40Z-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于提供高效的功率开关性能，其核心优势在于结合了400V的高漏源击穿电压与较低的导通电阻，在10V Vgs、1.5A Id条件下典型Rds(on)仅为1.8欧姆，有助于降低导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值低至17nC，输入电容（Ciss）也得到优化，这共同带来了快速的开关速度和较低的驱动损耗，提升了高频应用下的效率。器件采用I-PAK通孔封装，最大功耗45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类电源转换和电机控制应用中的可靠性与鲁棒性。