STD5NK50ZT4

STD5NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺改进，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构的核心优势在于实现了低栅极电荷（Qg）与低导通电阻的出色平衡，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要，因为它直接减少了开关损耗和导通损耗。

得益于SuperMESH技术，该MOSFET展现出卓越的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达500V，确保了在离线式开关电源（SMPS）等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值为4.4A，结合最大仅1.5Ω的导通电阻（在2.2A，10V V_GS条件下），意味着在导通期间能够有效降低功率耗散。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可获得优异的导通特性，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，且栅极电荷（Q_g）最大值控制在28nC（@10V），这有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，其最大功率耗散为70W（T_C）。其输入电容（C_iss）典型值较低，进一步支持了快速开关。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购，以确保获得正品和完备的服务。

基于其高性能指标，STD5NK50ZT4非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动和逆变器的辅助电源部分。其高耐压和良好的开关特性使其成为消费类电子、工业控制和家电产品中构建紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:STD5NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数突出，具备500V的高漏源电压（V_DSS）和4.4A（T_C）的连续漏极电流能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为1.5Ω（@2.2A），栅极电荷（Q_g）最大值低至28nC。这一特性使其在开关应用中能同时降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。