STD5NK60ZT4

STD5NK60ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的SuperMESH技术平台构建。该器件采用平面结构设计，通过优化的单元密度和独特的栅极结构，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了600V高耐压与1.6欧姆低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。这种架构确保了在高压开关应用中，器件能够承受高电压应力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET的功能特性围绕其优异的开关性能和可靠性展开。其栅极阈值电压最大值为4.5V，配合10V的标准驱动电压，使其易于被常见的PWM控制器驱动，同时提供了良好的噪声抑制能力。其栅极电荷（Qg）典型值较低，仅为34nC，这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于高频开关电源设计。此外，高达±30V的栅源电压（Vgs）最大值提供了宽裕的驱动安全裕度，增强了系统的鲁棒性。对于需要技术支持与稳定供货的客户，可以通过ST中国代理获取详细的技术资料和供应链支持。

在电气参数方面，STD5NK60ZT4在25°C壳温下可连续通过5A的漏极电流，最大功率耗散为90W。其导通电阻在10V驱动电压、2.5A电流条件下典型值为1.6欧姆，确保了高效的功率传输。输入电容（Ciss）最大值为690pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的工作环境。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等中功率领域。它能够有效提升诸如适配器、LED驱动电源、家用电器辅助电源等设备的效率与功率密度。尽管该型号已不适用于全新设计，但其成熟的技术和可靠的性能使其在现有产品维护、升级或特定成本敏感型应用中依然是一个值得考虑的高性价比选择。

• 型号:STD5NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5NK60ZT4是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与1.6欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这使其在高压应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。

其电气特性针对开关电源应用进行了优化，在10V驱动电压下，栅极电荷（Qg）典型值仅为34nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用DPAK表面贴装封装，在25°C壳温下可支持5A的连续漏极电流和90W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种环境下的可靠运行。