STD5NM50AG

STD5NM50AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直DMOS结构，其核心优势在于通过优化的单元设计和制造工艺，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种架构实现了低栅极电荷（Qg）与低导通损耗之间的出色平衡，使其在高频开关应用中能够有效降低开关损耗和驱动损耗，从而提升系统整体能效。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（V_DSS），这为离线式开关电源（SMPS）的功率级设计提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌电压下的可靠性。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为7.5A，结合100W的最大功率耗散能力，表明其能够处理可观的功率等级。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和2.5A漏极电流条件下，典型值远低于800毫欧，这直接转化为更低的导通状态功率损耗。

在动态特性方面，STD5NM50AG表现出色。其最大栅极电荷（Q_g）在10V V_GS下仅为13nC，较低的栅极电荷意味着栅极驱动电路所需的驱动电流更小，有助于简化驱动设计并进一步提升开关速度。同时，其输入电容（C_iss）在100V V_DS下最大值为415pF，较低的电容值有助于减少开关过程中的米勒效应，改善开关波形。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。

凭借其高电压、低损耗和高可靠性的特点，这款表面贴装型（DPAK封装）MOSFET非常适合应用于功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明用电子镇流器以及电机驱动逆变器等中高功率领域。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该器件，以确保获得正品元件和全面的设计资源。

• 型号:STD5NM50AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5NM50AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为500V漏源电压（V_DSS）和7.5A连续漏极电流（I_D），专为高效能、高可靠性的功率转换应用而设计。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡。它具备较低的导通电阻（R_DS(on)），有助于减少导通损耗；同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）也保持在较低水平，这有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同作用，使其在要求严苛的开关电源拓扑中能够显著提升整体能效和功率密度。