STD5NM50T4

STD5NM50T4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型DPAK封装，专为高电压、高效率的开关应用而设计。其核心架构融合了优化的单元结构和先进的工艺技术，旨在实现低导通电阻与低栅极电荷之间的出色平衡，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss），提供了坚固的电压耐受能力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7.5A，支持处理可观的功率等级。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下最大仅为800毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为13nC（@10V），结合415pF的输入电容（Ciss @25V），意味着其开关速度更快，栅极驱动损耗显著降低，特别适合高频开关工作模式。

在接口与参数方面，STD5NM50T4的标准驱动电压为10V，栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了宽裕且安全的驱动设计空间。其阈值电压Vgs(th)最大为5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散能力为100W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温域下的可靠运行潜力。用户可通过官方授权的ST代理商获取详细的技术资料与供货支持。

得益于其高耐压、低损耗的特性组合，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等场景。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并有助于实现更紧凑的电源设计。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STD5NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD5NM50T4是意法半导体推出的一款采用MDmesh技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键电气参数表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下最大仅为800毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大13nC）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。这些特性使其成为离线式电源转换和电机控制等高效能设计的理想选择。