STF23NM50N

STF23NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了卓越的开关性能与导通电阻（R_DS(on)）的平衡。其核心在于通过专利的单元结构和工艺优化，显著降低了栅极电荷（Q_g）和输出电容（C_oss），这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，使其在高频应用中尤为高效。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D）能力，提供了宽裕的电压与电流余量，确保系统在严苛工况下的可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为190毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升整体能效。同时，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声免疫性，而±25V的最大栅源电压则增强了驱动的鲁棒性。

在动态参数方面，栅极总电荷（Q_g）典型值低至45nC（@10V），结合1330pF的输入电容（C_iss），使得该器件对栅极驱动电路的要求更为友好，能够实现快速且可控的开启与关断，减少驱动损耗。其采用TO-220FP封装，这是一种带隔离安装孔的直插式封装，不仅提供了良好的机械强度和30W（T_C）的功率耗散能力，也便于散热器安装，确保芯片结温（T_J）在高达150°C的范围内稳定工作。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术支援。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STF23NM50N非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及工业照明中的电子镇流器等应用场景。其稳健的设计使其成为中高功率AC-DC和DC-AC能量转换系统中功率开关单元的优选解决方案。

• 型号:STF23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF23NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括500V的漏源电压（V_dss）和25°C下17A的连续漏极电流（I_d），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为190毫欧（@8.5A），有效降低了导通损耗。同时，低至45nC（@10V）的栅极电荷（Q_g）有助于实现高速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备30W的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的可靠性与耐久性。