STD60N55F3

STD60N55F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位面积内实现了更低的导通电阻与更优的开关性能平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。该芯片采用表面贴装型DPAK封装，具有良好的功率处理能力和热性能，便于在紧凑的PCB空间内实现高功率密度设计。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为55V，能够稳定工作在常见的48V及以下总线电压系统中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其在10V驱动电压、32A测试条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为8.5毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STD60N55F3的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容器件，便于由常见的5V或12V栅极驱动器直接或通过简单电路驱动。其输入电容（Ciss）最大值为2200pF @ 25V，结合较低的Qg，共同决定了其快速的开关响应特性。器件的最大功率耗散为110W（Tc），工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。作为STripFET III系列的一员，其性能在同类产品中具有竞争力，用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高电流能力、低导通电阻和良好的开关特性，STD60N55F3非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和初级侧开关、工业电源中的电机驱动与控制电路、以及各类电动工具和电池管理系统的功率开关模块。其DPAK封装形式兼顾了散热性能与PCB占板面积，是许多中高功率开关电源设计的优选功率器件之一。

• 型号:STD60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为55V漏源电压（Vdss）与高达80A（Tc）的连续漏极电流，专为处理大电流开关任务而设计。

其技术优势主要体现在极低的功率损耗上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为8.5毫欧（@32A），能显著降低导通状态下的传导损耗。同时，最大45nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性使其在需要高效率的功率转换应用中表现出色。

该器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适用于工业电源、电机驱动及DC-DC转换器等领域的同步整流和主开关拓扑。