STD65N55F3

STD65N55F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在紧凑的DPAK封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一指标是衡量开关效率与损耗的关键。其核心优势在于平衡了高电流处理能力与快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备55V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达80A，展现出强大的电流承载能力。尤为突出的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为8.5毫欧@32A，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并提升工作频率。

在接口与参数方面，器件支持±20V的最大栅源电压，提供了宽裕的栅极驱动安全范围。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。该MOSFET采用表面贴装型DPAK封装，功率耗散能力达110W（Tc），并支持-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能参数，STD65N55F3非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）中的理想选择，可显著提升服务器电源、通信基础设施电源的转换效率。同时，其在电机驱动控制、电池保护电路以及各类工业级开关电源中也发挥着核心作用，是实现紧凑、高效、可靠功率管理解决方案的关键元器件。

• 型号:STD65N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD65N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，核心特性包括55V的漏源电压（Vdss）以及高达80A（Tc）的连续漏极电流承载能力，适用于高电流应用环境。

其技术优势主要体现在极低的功率损耗上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为8.5毫欧（@32A），配合45nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），共同优化了导通与开关损耗，提升了系统的整体能效和开关频率潜力。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣温度条件下的稳定性和可靠性。