STD6N60M2

STD6N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低导通损耗和开关损耗，尤其适用于高频开关应用，其内部集成的快速恢复体二极管进一步提升了其在硬开关和感性负载条件下的可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id）能力，为离线式电源转换提供了坚实的电压裕量和电流处理基础。其导通电阻在10V驱动电压、2.25A测试条件下典型值仅为1.2欧姆，确保了高效的功率传输。同时，最大栅极电荷（Qg）低至8nC，结合232pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量小，能够实现快速的开通与关断，有助于提升系统整体开关频率并简化栅极驱动设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，增强了抗干扰能力。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下最大功耗为60W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了其在严苛环境下的稳定运行。其采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能指标，STD6N60M2非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动中的辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并有助于实现更紧凑、更经济的电源设计方案。

• 型号:STD6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:232 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD6N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD6N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，提供了600V的漏源电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高效率的功率开关应用而设计。

其关键优势在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至8nC，这共同实现了更低的导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效和开关频率。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类电源设计中的可靠性和稳定性。