STD6NK50ZT4

STD6NK50ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件隶属于ST先进的SuperMESH产品系列，该系列技术通过优化单元结构和工艺，在高压应用中实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET的核心架构基于成熟的平面技术，但其SuperMESH设计显著增强了性能。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等高压环境下的可靠工作与安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5.6A，配合最大仅1.2欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件为Vgs=10V， Id=2.8A），使得器件在导通期间的功率耗散保持在较低水平，有助于提升系统整体效率。

在动态特性方面，STD6NK50ZT4展现了良好的开关性能。栅极电荷（Qg）最大值仅为24.6nC（Vgs=10V），同时输入电容（Ciss）也得到有效控制。较低的Qg值意味着驱动电路所需的电荷更少，这简化了栅极驱动设计，降低了驱动损耗，并有助于实现更高频率的开关操作，为电源设计提供了更大的灵活性。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

该器件的主要参数针对高效、紧凑的电源解决方案进行了优化。其最大功耗在壳温条件下为90W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应严苛的环境要求。其典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或控制器输出的良好兼容性。这些特性使其非常适用于需要高电压处理能力和高效率的中等功率应用场景。

基于其500V的耐压、较低的导通与开关损耗以及DPAK封装带来的良好散热特性，STD6NK50ZT4的理想应用领域包括但不限于离线式开关电源的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电源转换以及家用电器中的电机驱动辅助电路。其设计旨在帮助工程师在功率密度和能源效率之间取得最佳平衡。

• 型号:STD6NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD6NK50ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压N沟道MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于500V的漏源击穿电压（Vdss）与5.6A的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化的技术实现了优异的静态与动态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值24.6nC）显著减少了开关损耗并简化了驱动设计，从而提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。