STD6NM60N-1

STD6NM60N-1是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与高击穿电压（Vdss）的良好平衡，其核心在于优化了单元密度和电荷平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压，确保了在离线式电源等高压环境下的可靠工作。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、2.3A漏极电流条件下的导通电阻典型值仅为920毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在13nC，结合420pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的损耗。

在电气参数与接口方面，STD6NM60N-1的连续漏极电流在壳温（Tc）条件下额定为4.6A，最大栅源电压为±25V，提供了充足的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用标准的I-PAK（TO-251）通孔封装，便于在PCB上进行安装和散热管理，其最大功率耗散能力为45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购咨询。

凭借其高压、低损耗的特性，这款器件非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动控制中的辅助电源部分。它在这些应用中能够有效提升能效，减少热设计压力，是工程师设计紧凑、高效高压电源系统的有力选择之一。

• 型号:STD6NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STD6NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至920毫欧（@10V， 2.3A）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这确保了在高压开关应用中既能承受高电压应力，又能实现较低的传导损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为13nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。器件采用I-PAK通孔封装，额定连续漏极电流（Id）为4.6A（Tc），最大功率耗散为45W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为各种高压电源和功率转换应用提供了可靠且高效的开关解决方案。