STD70N2LH5

STD70N2LH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的垂直沟道结构，通过优化的单元密度和沟槽栅极设计，在硅片层面实现了极低的导通电阻与栅极电荷的优异平衡。其核心设计目标是在25V的电压等级下，提供高达48A的连续漏极电流承载能力，同时将开关损耗控制在极低水平，以满足高效率功率转换的需求。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气性能上。在10V栅极驱动电压、24A漏极电流条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为7.1毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）在5V驱动下最大值仅为8nC，结合1300pF的输入电容（C_iss），意味着器件具备快速的开关速度，能够有效减少开关过渡过程中的能量损失，尤其适用于高频开关应用。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，且兼容5V逻辑电平驱动，增强了设计的便利性。

在接口与参数方面，STD70N2LH5采用标准的表面贴装DPAK封装，具有良好的功率耗散能力，在管壳温度（T_C）下最大可承受60W的功率。其漏源电压（V_DSS）额定值为25V，栅源电压（V_GS）可承受±22V，提供了稳健的操作裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货与深度技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障供应链与获取完整产品资料的有效途径。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和坚固的封装，该器件非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，尤其是在计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）以及各类服务器电源中。它也常用于低压电机驱动控制、电池保护电路以及高电流负载的功率分配管理。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类解决方案中仍具有参考价值。

• 型号:STD70N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD70N2LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，额定漏源电压为25V，在管壳温度条件下可支持高达48A的连续漏极电流，适用于高电流密度设计。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻低至7.1毫欧（@24A），显著降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（8nC @5V）确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频开关电源的效率。器件兼容5V逻辑电平驱动，工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），提供了可靠且灵活的设计选项。